Penerima Hadiah Nobel Fisika 2014

Nobel Fisika 2014

Buat nambah semangat kita ulik-ulik peserta hadiah nobel tetangga dulu. Fisika, sementara penghargaan nobel kimia belum keluar, masih pada sibuk voting, hehehehe. Berikut beritanya menyerupai dikutip dari chemistryviews.org. Kapan yaa,,, namaku nempel disini?? atau namamu dehhh

Penghargaan Nobel Fisika 2014 telah diberikan kepada Isamu Akasaki, Meijo University, Nagoya, Jepang, dan Nagoya University, Jepang, Hiroshi Amano, Nagoya University, Jepang, dan Shuji Nakamura, University of California, Santa Barbara, CA, Amerika Serikat, "Untuk inovasi   efisiensi dioda pemancar cahaya biru yang telah memungkinkan kecerahan dan ekonomis energi dari sumber cahaya putih "

Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, dan Shuji Nakamura telah berhasil di mana banyak orang lain telah gagal. Mereka menyebarkan LED biru (light emitting diode) yang bersama- sama dengan merah dan hijau yang telah ada, memungkinkan penciptaan ekonomis energi dari cahaya putih, membunyikan lonceng janjkematian bagi lampu pijar dan berkontribusi untuk menyelamatkan sumber daya penting. 

Bahan pilihan yakni Gallium nitride - Akasaki dan Amano yakni yang pertama  berhasil dalam membuat kristal berkualitas tinggi. Mereka mempresentasikan dioda pertama mereka memancarkan cahaya biru pada tahun 1992 Nakamura juga berhasil menghasilkan kristal GaN berkualitas tinggi, dan bisa menjelaskan sikap lapisan gallium nitrida yang dikembangkan oleh Akasaki dan Amano. Dia menyederhanakan proses, tiba dengan solusi yang berbeda untuk membangun elektroda. Selama 1990-an, kedua tim lebih meningkatkan kemampuan LED mereka, membuat mereka lebih efisien dan mengarah ke terobosan pencahayaan LED. 

Isamu Akasaki, lahir 30 Januari 1929 di Chiran, Jepang, mendapatkan Ph.D. dari Nagoya University, Jepang, pada tahun 1964 ia mulai bekerja di Matsushita Electric Industrial Co, Ltd, Kadoma, Jepang.
Saat ini, Akasaki yakni Profesor di Universitas Meijo, Nagoya, dan Distinguished Professor di Nagoya University, Jepang.

Hiroshi Amano, lahir 1960 di Hamamatsu, Jepang, mendapatkan gelar Ph.D. dari Nagoya University, Jepang, pada tahun 1989. Saat ini, Amano yakni Profesor di Nagoya University, Jepang.

Shuji Nakamura, lahir 22 Mei 1954 di Ikata, Jepang, dianugerahi gelar Doctor of Engineering dari University of Tokushima, Jepang, pada tahun 1994 Setelah bekerja untuk Nichia Corporation, Anan, Jepang, ia mengambil posisi sebagai profesor teknik di University of California, Santa Barbara, Amerika Serikat, pada tahun 1999.

Publikasi Isamu Akasaki 

• Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors, Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takeyoshi Onuma, Benjamin A. Haskell, Arpan Chakraborty, Takahiro Koyama, Paul T. Fini, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, James S. Speck, Umesh K. Mishra, Shuji Nakamura, Shigeo Yamaguchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jung Han, Takayuki Sota, Nature Materials 2006, 5, 810-816. DOI: 10.1038 / nmat1726
• Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki Hiroshi Amano, Improved Efficiency of 255-280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes , Appl. Phys. Express 2010, 3, 061004. DOI: 10.1143 / APEX.3.061004 
• Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode, Isamu Akasaki Hiroshi Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 9001 DOI: 10.1143 / JJAP.45.9001 
• GaInN-Based Solar Cells Using strained-layer GaInN / GaInN Superlattice Active Freestanding GaN Layer on a Substrate, Yousuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Yasuhiro Isobe, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama , Isamu Akasaki and Hiroshi Amano, Appl. Phys. Express 2011, 4, 021001. DOI: 10.1143 / APEX.4.021001 
• Masataka Imura, Kiyotaka Nakano, Gou Narita, Naoki Fujimoto, Narihito Okada, Krishnan Balakrishnan, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tadashi Noro, Takashi Takagi, Akira Bandoh, Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers , J. Crystal Growth 2007, 298, 257-260. DOI: 10.1016 / j.jcrysgro.2006.10.043 

Publikasi Hiroshi Amano 

• Guangxu Ju, Yoshihiro Kato, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Hiroshi Amano, X-ray investigations of single GaInN quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy, Physica status solidi C 2014, 11 (3-4) , 393-396. DOI: 10.1002 / pssc.201300670 
• Koji Okuno, Takahide Oshio, Naoki Shibata, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Enhancement of light output power of GaN-based on light emitting diodes using two direction stripe patterned sapphire substrates, Physica status solidi C 2014, 11, 722-725. DOI: 10.1002 / pssc.201300470 
• Yi Lu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, KeigoTakeda, Makoto Sekine, Hiroshi Amano, Masaru Hori, Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2 / H2 plasma excited - effect of TMG flow rate and power VHF, J. Crystal Growth 2014, 391, 97-103. DOI: 10.1016 / j.jcrysgro.2014.01.014 
• Cao Miao, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano, Growth of InGaN / GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays, Jpn. J. Appl. Phys. 2014, 53, 0303060. DOI: 10.7567 / JJAP.53.030306 
• Guangxu Ju, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano, In situ X-ray investigation of changing growth Temperatures barrier on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy, J. Appl. Phys. 2014, 115, 094906. DOI: 10.1063 / 1.4867640 
• H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, Isamu, in nitrides with nonpolar Surfaces (Ed. Tanya Paskova), Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, Germany, 2008, ISBN: 978-3-527-40768-2 

Publikasi Shuji Nakamura 

• Prospects for LED lighting, Siddha Pimputkar, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Nature Photonics, 2009, 3, 180-182. DOI: 10.1038 / nphoton.2009.32 
• Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors, Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takeyoshi Onuma, Benjamin A. Haskell, Arpan Chakraborty, Takahiro Koyama, Paul T. Fini, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, James S. Speck, Umesh K. Mishra, Shuji Nakamura, Shigeo Yamaguchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jung Han, Takayuki Sota, Nature Mat. 2006, 5, 810-816. DOI: 10.1038 / nmat1726 
• High Power and High External Efficiency m-Plane InGaN Light Emitting Diodes Mathew C. Schmidt, Kwang-Choong Kim, Hitoshi Sato, Natalie Fellows, Hisashi Masui, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars and James S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L126. DOI: 10.1143 / JJAP.46.L126 
• Demonstration of nonpolar m-Plane InGaN / GaN Laser Diodes Mathew C. Schmidt, Kwang-Choong Kim, Robert M. Farrell, Daniel F. Feezell, Daniel A. Cohen, Makoto Saito, Kenji Fujito1, James S. Speck, Steven P . DenBaars and Shuji Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L190. DOI: 10.1143 / JJAP.46.L190 
• Improved electroluminescence on nonpolar m -plane InGaN / GaN quantum wells LEDs, Kwang-Choong Kim, Mathew C. Schmidt, Hitoshi Sato, Feng Wu, Natalie Fellows, Makoto Saito, Kenji Fujito, James S. Speck, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars, Physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 2007, 1, 125-127. DOI: 10.1002 / pssr.200701061

Sumber http://guide-prof.blogspot.com

Share this post

Berlangganan update artikel terbaru via email: